Увеличение полуширины

Увеличение полуширины дифракционного максимума фазы с повышением до - 200 до 500°С обусловлено превалированием радиационно-стимулируемых процессов создания (накопления) структурных дефектов, образования распада неравновесных фаз, твердых растворов взаимно растворимых компонентов покрытий на основе TiNx, CrN и легирующих элементов над процессами релаксации искажений, отжига дефектов при конденсации. Дополнительный отжиг при 400, 500°С, приводящий к распаду неравновесных структур, обусловливает увеличение Ну до 37 ГПа. В то же время при НФ = 35Э увеличение U-100B и Тк 500 С приводит к более резкому снижению, свидетельствуя о более существенном вкладе радиационно-стимулируемых процессов, снижающих уровень неравновесности формирующихся покрытий по сравнению с термическим отжигом.

Образующиеся покрытия представляют собой непрерывный ряд неоднородных твердых растворов TixCri. xN с текстурой в плоскости конденсации. Наблюдаемая при этом нанослойная, ячеистая структура является следствием не только поочередно осаждаемых потоков Ti и Сг на вращающуюся поверхность конденсации, но с повышением Нф 35 Э, U - 100 В и Тк 500°С во все более возрастающей степени определяется механизмом радиационно-термически активированного процесса перераспределения компонентов формирующегося покрытия.

Показана возможность создания нанослойных покрытий методом вакуумно-дугового осаждения в условиях вращения плоскости конденсации относительно осаждаемых потоков с использованием стандартных установок Булат, оснащенных тремя испарителями.

На основе модели расчета скоростей осаждения (толщины) покрытий определены геометрические параметры, позволяющие формировать слоистые структуры в манометровом диапазоне.

При конденсации в условиях более высоких степеней фокусирования потоков (Нф =100 Э) с увеличением U от -100 до -300 В Тк возрастает до 750°С. Получаемые при этом покрытия состоят из фазы текстурой, представляющей собой неоднородный твердый раствор, свидетельствующий о полном взаимном растворении компонентов слоев покрытия.