Ускорение ионов

При толщине плёнки 30...50 А вероятность пробоя диэлектрического конденсатора (и создания ячейки) велика, так как туннельная эмиссия электронов ослаблена, а условия его зарядки хорошие. Наличие большого количества сорбированных газов, микроострий и тонких диэлектрических плёнок способствует возникновению новых ячеек в пределах относительно большого плазменного ореола. Поэтому скорость перемещения существующих в таких условиях КП 1 - го типа высокая.

В высоком вакууме и при очищенной поверхности катода образование достаточно плотной поверхностной плазмы затруднено, поскольку сорбированных газов мало, а диэлектрические плёнки отсутствуют. Электроны, образовавшиеся в результате автоэмиссии, движутся к ячейке, и по мере приближения к ней их плотность возрастает. Одновременно растёт величина индуцированного электрического поля, что ещё более увеличивает автоэмиссию электронов. Этим объясняется тот факт, что концентрация плазмы вне КП спадает в пространстве как 1/R2, где R - расстояние от центра пятна.

В частности, при увеличении температуры катода количество сорбированных на его поверхности газов уменьшается, снижается плотность плазмы в пределах ореола; соответственно меньшими становятся расстояния, где есть вероятность возникновения новых ячеек, и скорость движения КП снижается. Концентрация плазмы в непосредственной близости от ячейки составляет 1020 см и напряженности индуцированного электрического поля, 3,5-107 В/см достаточно для обеспечения взрывной эмиссии и образования новой ячейки на чистом металле у края предыдущей, что и происходит. Созданию новой ячейки недалеко от края предыдущей способствует ускорение ионов в сторону катода при её погасании, производимое индуцированным электрическим полем Еи, и интенсивный разогрев ими металла по контуру ячейки. Вследствие образования новых ячеек у края прежних скорость движения КП 2-го типа значительно ниже, чем у пятен 1-го типа.