Уменьшение потенциала

Максимальный уровень сжимающих напряжений 4,5 ГПа наблюдается в пленках, имеющих текстуру, несмотря на невысокую температуру подложки, а значит, низкий вклад. Оценка уровня остаточных напряжений термического происхождения для всех исследованных конденсатов A1N дает значения, которые меньше 0,1 ГПа, что существенно ниже экспериментально найденных. Таким образом, независимо от подложки вклад структурной составляющей является определяющим как при низких энергиях осаждаемых частиц, так и при высоких температурах подложки.

Известно, что формирование текстуры является одним из способов релаксации искажений решетки и снятия части остаточных микро - и макронапряжений. Эти искажения в ионно-плазменных конденсатах обусловлены внедрением в подповерхностный слой растущей пленки осаждаемых частиц. В зависимости от материала и температуры подложки релаксация напряжении протекает по различным механизмам. В пленках на металлических подложках предпочтителен механизм, связанный с формированием текстуры.

Период решетки A1N, который соответствует ненапряженному состоянию, в исследованных пленках близок к табличному значению, характерному для массивного нитрид. Значения периода для текстурированных пленок на 1-2 % выше табличного. По-видимому, это связано с тем, что исследованные пленки, даже при невысокой энергии осаждаемых частиц, насыщены дефектами: внедренными атомами и их комплексами, дислокациями и дислокационными петлями. Это может быть обусловлено тем, что в результате формирования дислокационных петель внедрения в плотноупакованных плоскостях (001) напряженное состояние гексагональных кристаллитов A1N является несимметричным, и они сильнее сжаты вдоль направления.