Теория режима возврата

В свою очередь, слабо зависит от Uа, поэтому в недонапряжённом режиме имеет место ограничение анодного тока. Ток определяется величиной. Таким образом, точка С на стыке двух участков определяет величину критического тока 1СГ, при котором лампа переходит из режима со свободным пропусканием тока в режим ограничения тока. Теория режима перехвата рассмотрена.

Большая крутизна анодной характеристики на участке а в перенапряжённом режиме приводит к малым изменениям напряжения на лампе AUa и напряжения смещения AUf, при значительной флуктуации тока Aia, если рабочая точка лампы находится в пределах этого участка. На участке - ситуация обратная из-за малой крутизны характеристики, поэтому работа лампы в перенапряжённом режиме является предпочтительной для получения мало изменяющегося напряжения смещения. Но когда величина тока превышает, лампа ограничивает рост тока и резко снижает, подавляя всплески тока подложки и дуги.

При производстве изделий микроэлектроники применяются вакуумные технологические установки, имеющие ВЧ-системы с ёмкостным или индуктивным возбуждением плазмы. Эти системы предназначены для генерирования и оптимальной передачи ВЧ-энергии в нагрузку. В нагрузке выделяется проходящая (активная) мощность, равная разности падающей Pt и отражённой Рг мощностей, т. е. PL = Р, - Рг. Поэтому эффективная работа ВЧ-системы возможна только в том случае, если в ней осуществляется контроль падающей и отражённой мощностей.

В области частот от 30 МГц до десятков гигагерц для оперативного контроля проходящей мощности от долей милливатта до сотен ватт применяются ваттметры на основе направленных ответвителей, в состав которых входят детекторные головки, балластные поглотители ВЧ-мощности, управляемые аттенюатор. Основным недостатком этих приборов является их конструктивная сложность.