Структурный аспект

Следует отметить, что близко к точке плавления величина отношения среднеквадратичного смещения атомов к их межатомному расстоянию эквивалентна 8-10 % деформации решетки, что коррелирует с критической величиной деформации, развивающейся на дислокационном уровне, приводящей к потере кристаллического порядка.

Экспериментально доказать наличие в расплавах микрогруппировок, имеющих кристаллоподобную упаковку атомов, позволило сопоставление кривых интенсивности рассеяния рентгеновских лучей расплавов с положением максимума структурных линий соответствующих кристаллов. При построении на этой основе теории кристаллоподобного строения расплавов расплав иногда рассматривался как кристалл в состоянии большого диспергирования на кластеры размером 1,5.. .3 нм. Оценку характерной величины области взаимодействия, которую можно считать областью квазиупорядоченния в расплаве, можно провести из соотношения ширина первого корреляционного максимума в координатах интенсивность-вектор рассеяния. Для расплавов металлов оценка области взаимодействия дает 3 нм. С повышением температуры устойчивость таких областей резко падает.

Из данных рентгендифракционных исследований известно, что в случае присутствия кластерных образований размером 2...3 нм, на дифракционном спектре наблюдаются размытые валообразные кривые. Процесс кластеризации может происходить как на стадии получения или физико-химического воздействия, так и при вылеживании материала в результате концентрационного упорядочения. Так в нанокристаллических материалах твердых растворов фаз внедрения при их концентрационном расслоении по типу синодального распада, определяемого высокой (превышающей термические флуктуации (кТ) энергией взаимодействия атомов одного сорта, происходит формирование малых концентрационных кластеров из таких однотипных атомов, пространственное распределение которых приводит к формированию концентрационной волны упорядочения. Для выявления класстеров использовалась дифракция проходящего рентгеновского пучка сквозь образец на тонкой бериллиевой подложке.