Сложный состав покрытий

Однако в образце при исследовании низкий DOS обнаружился не только в области о - состояния при 5-8 эВ, но также в области состояния при 0-5 эВ благодаря малому количеству углерода в ионно-плазменных покрытиях. Так изучение высших оболочек атомов в поверхностных покрытиях имеют подтвержденный комплекс фазового строения. Покрытия, содержащие углерод, бывают двух видов: алмазоподобные и углеродные.

Ионное травление позволяет нам изучить отличительные особенности спектров в покрытиях различной глубины. Высший слой включает большое число вершин, связанных с С внешних карбидов. Вершины 2-4 при 107, 127, 130 В соответствуют растянутым формам колебания для =С=С связей.

Вершина при 164,0 мВ - это аморфный углерод. Аргонное травление позволяет достигнуть глубоких слоев покрытия. Вершины 1 и 5 при 78 и 165 мВ (связанные с TiC и алмазоподобным углеродом sp3 - характером гибридизации) разложены четко. Очевидно, эти свойства связаны с разложением и понижением углеродных частиц sp2, и, следовательно, повышением в 4-х составных скоординированных атомах углерода и концентрации покрытия TiC. Эти данные хорошо сходятся с исследованиями других ионно-плазменных нанокомпазитов TiC-a-CH-покрытий.

Покрытия, основанные на TiC - и ZrC-карбидах включают стехиометрические и нестехиометрические фазы, алмазоподобный углерод. Образование углерода зависит от условий осаждения.

Основываясь на Р-Т-Х-диаграммах, можно определить оптимальные параметры осаждения: давления газа и температуру подложки Т. Такое описание параметров процесса может быть применено к широкому классу ионно-плазменных установок.

Вычисленные и экспериментально определенные составы покрытий при ионно-плазменном осаждении достаточно близки. Так Р-Т-Х-диаграммы могут быть использованы при получении покрытий с определенным составом и свойствами.