Подача на подложкодержатель

Пленки были получены на подложках СтЗ и стали 40Х путем распыления спеченной порошковой мишени ТаВ2. Синтез проводился при заземленном металлическом подложкодержателе при наличии на нем положительного и отрицательного потенциалов смещения. Мощность ВЧ-генератора составляла 500 Вт, время напыления - 60 мин, рабочее давление - 0.32 Па, температура образцов в процессе напыления = 500 °С. Толщины пленок определялись методом многолучевой интерферометрии (МИИ-4). Результаты исследований показали, что в случаях нулевого (заземленный подложкодержатель) и положительного потенциалов смещения формировались текстурированные пленки со столбчатой структурой с преимущественным ростом нормали к плоскости (001). При этом наблюдались и некоторые отличия. Так, при нулевом потенциале смещения степень текстуры была ниже, и рассчитанное по данным ВИМС отношение атомных концентраций бора к танталу (Св/СТа) составило 1.96, что в пределах погрешности соответствует стсхиометричсской фазе ТаВ2. При подаче положительного потенциала смещения степень текстуры пленок увеличилась, а отношение Св/СТа составило = 2.4, что, на наш взгляд, свидетельствует о присутствии в составе пленок сверхстехиометрической фазы ТаВ2+х.

Подача на подложкодержатель отрицательного потенциала смещения привела к существенному изменению структуры и состава получаемых покрытий. Формировалась нетскстурированная нанокристаллическая без выраженной столбчатости фаза ТаВх. Отношение Св/Ста составило = 1.6, что позволяет предположить присутствие в составе пленок достсхиометрической фазы ТаВ2.х.

Текстурированные пленки со столбчатой структурой характеризовались сверх - или стехиометрическим составом, а нанокристаллические нетекстурированные - достехиометрическим, что определило физико-механические характеристики синтезированных покрытий.