Образование низших фаз

Введение примусных атомов внедрения приводит к перераспределению электронной плотности и связанному с этим изменению структуры.

Образование низших фаз внедрения МезХ, Ме2Х (Me - переходной металл, X - неметалл) приводит к появлению двух сателитных смещенных линий с обеих сторон от основного пика. Смещение увеличивается с повышением концентрации легких атомов, достигая 1,5...2° при максимальном содержании Х-атомов в этом концентрационном интервале, что в пересчете в межатомное смещение составляет 0,01...0,015 нм. Увеличение содержания легких атомов приводит к повышению интенсивности сателитных рефлексов и их дальнейшему удалению от основного пика, пока при составах близких к МезХ не возникает второй сателитный спектр сильных линий, а при составах с атомным соотношением, превышающим, происходит формирование сложного многолиниевого дифракционного спектра с наиболее интенсивными линиями, смещенными за пределы анализируемого интервала характерных углов. Порождение сложного дифракционного спектра в последнем случае связано с увеличением степени влияния ковалентной и ионной составляющих в спектре сил связи материала, что приводит к значительной анизометрии в межатомных расстояниях. Таким образом, первичный анализ дифракционного спектра, проведенный по указанной методике, позволяет качественно оценить степень насыщения металла примесью внедрения.

Если рассмотреть при этом изменение типа кристаллической решетки, то при изначальной кубической в чистом появление атомов внедрения приводит к перестройке в орторомбическую решетку и в дальнейшем при увеличении концентрации легких атомов в гексагональную или более сложную. Соответственно переход в нанокристаллическое состояние, как и плавление, приводит к металлизации, идущей с разрушением ковалентных связей. Т. е. связи становятся как можно более близкие к объемно-симметричным.