Механизм развития пятна

В связи с тем, что наименьшая элементарная частица электрического тока обладает анизотропией - центр массы у нее не совпадает с центром заряда, прохождение через приповерхностные слои переменного электрического тока, вероятно, усиливает анизотропию всех составляющих как на поверхности (макроуровень), так и по объему на молекулярном уровне.

Из этого можно предположить, что начавшиеся под действием электрического тока и электролитов процессы текстурирования продолжаются при приработке, а также в условиях нормального изнашивания деталей.

В заключение следует отметить, что для понимания происходящих процессов и управления ими с целью изменения строения и свойств межфазных составляющих необходимо опираться на современные теории и представления о строении веществ.

Показано, что структурная приспосабливаемость материалов и среды или приработка деталей двигателей может быть достигнута при технологической обкатке только после их специальной совместной доводки.

Приведены особенности совместной доводки коренных подшипников скольжения коленчатого вала и деталей ЦПГ отремонтированных двигателей под действием переменного тока и электролитов и условия авторегуляции электрофизических, электроэрозионных и электрохимических процессов.

Высказано предположение, что текстурирование приповерхностных слоев материалов и среды при СД деталей в водно-органических электролитах под действием электрического тока происходит в результате структурной нежесткости межфазных составляющих и анизотропии носителей заряда ввиду смещения в них центров массы и заряда.

В связи с необходимостью получения информации о максимальной прочности кристалл-лов особый интерес представляет изучение механических свойств бездислокационных твердых тел. Теоретическая или идеальная прочность определяется как максимальное напряжение, которое может выдержать идеально совершенный кристалл без разрушения. В последние годы существенно возросла точность расчетов, и расширился круг исследуемых материалов благодаря применению методик самосогласованных квантово-механических расчетов и разработке адекватных многочастичных потенциалов.