Изделия из полиакрила

Геометрические размеры образцов полиакрила, используемые в эксперименте (180х1803 мм), определены условиями конкретной задачи нанесения защитных покрытий из AIN на поверхность линзы Френеля, используемой в качестве концентратора солнечного излучения в преобразователях энергии света в электрическую.

Процесс вакуумно-дугового осаждения AIN на полиакрил имеет существенные особенности по сравнению с осаждением на исполимерные материалы (например, металлы или стекло). Это связано с высокой чувствительностью физико-химических свойств полиакрила к изменению температуры. Полимерные материалы легко разрушаются при повышенных тепловых потоках, при этом резко увеличивается газоотделение вследствие испарения воды, растворителей и пластификаторов, препятствуя получению высоких адгезионных характеристик осаждаемых плёнок. Кроме того, толщина очень твёрдого по сравнению с полиакрилом покрытия ограничивается внутренними напряжениями, которые могут приводить к развитию трещин в конденсате.

Процесс получения AIN на полиакриле включает три стадии: довакуумная обработка полиакрила (мойка, сушка), нагрев и активация поверхности в аргоновой плазме и непосредственно сам процесс осаждения. Наиболее важным параметром технологического процесса нанесения AIN-покрытий на полиакрил является температура поверхности образца. Временной характер изменения температуры регистрировался пирометром МХ-4. При обработке полиакрила в аргоновой плазме (участок а) происходит его очистка, активация и нагрев вплоть до температуры размягчения (95 °С). На участке б образец остывает. Осаждение покрытия (участок в) происходит при температуре 30 °С, при этом плазменный источник работает в импульсном режиме: длительность импульса 8... 10 с, длительность паузы 12... 13 с, скорость осаждения составляет 0,15...0.2 мкм/ч.

Качество подготовки полиакрила к осаждению AIN оценивалось по уровню активации поверхности и показателем служила величина контактного угла смачивания капли дистиллированной воды на поверхности образца. Известно, что чем меньше