Анализ уширения дифракционных линий

Уменьшение потенциала смещения до U = 30 В приводит к снижению температуры подложки и формированию преимущественной ориентации кристаллитов A1N плоскостями (001) параллельно поверхности пленки. Таким образом, формируется аксиальная текстура с осью в направлении нормали к поверхности. Текстура в этом случае является достаточно совершенной и отражение (002) хорошо выявляется на фоне гало даже на 0-20 дифрактограммах. В пленках A1N на подложках из молибдена текстура выражена сильнее, чем в пленках на подложках из нержавеющей стали.

Следует отметить, что для изучения текстуры производились съемки в скользящей схеме при различных ориентациях образца к первичному пучку. Поворот образца осуществлялся в плоскости пленки. Для образцов, полученных при нормальном падении плазменного потока, вид дифрактограмм при повороте образца не изменялся, что свидетельствовало о совпадении оси текстуры с нормалью к поверхности пленок. Для образцов, полученных при наклонном падении плазменного потока, соотношение интенсивности линий сильно изменялось. На дифрактограммах, снятых при такой ориентации образца, когда направление скольжения рентгеновского пучка по подложке близко к направлению потока ионов во время осаждения (угол между проекциями ионного и рентгеновского пучков на плоскость поверхности пленки оэ=0°), интенсивность линии (002) в 6 раз выше, чем интенсивность линии (100). При повороте образца (со=180°) интенсивность этих линий становится практически одинакова. Оценка показывает, что это может быть обусловлено наклоном оси текстуры относительно нормали к поверхности пленки на угол -20°.

Термическая компонента атсрм обусловлена различием коэффициентов термического расширения пленки и подложки, а структурные напряжения сжатия Остр возникают под действием ионной бомбардировки. Установлено, что процессы формирования текстуры в пленках и напряженного состояния взаимосвязаны. В пленке с преимущественной ориентацией кристаллитов плоскостями (МО) параллельно поверхности подложки, полученной при высоком энергетическом воздействии осаждаемого потока на растущий конденсат, остаточные напряжения сжатия составляют 1-2 ГПа.